Tăng quỹ 15 tháng 9 2024 – 1 tháng 10 2024
Về việc thu tiền
tìm kiếm sách
sách
Tăng quỹ:
68.6% đạt
Đang nhập
Đang nhập
Người dùng đã xác minh danh tính được phép:`
nhận xét cá nhân
Telegram bot
Lịch sử download
gửi tới email hoắc Kindle
xóa mục
lưu vào mục được chọn
Cá nhân
Yêu cầu sách
Khám phá
Z-Recommend
Danh sách sách
Phổ biến
Thể loại
Đóng góp
Quyên góp
Lượt uload
Litera Library
Tặng sách giấy
Thêm sách giấy
Search paper books
LITERA Point của tôi
Tìm từ khóa
Main
Tìm từ khóa
search
1
Grundlagen der Verstärker
Vieweg+Teubner Verlag
Horst Gad
,
Hans Fricke
bild
spannung
verstärker
ersatzschaltung
widerstand
feldeffekttransistor
gate
ausgangsspannung
abschn
gilt
folgt
schaltung
operationsverstärkers
eingang
operationsverstärker
verstärkers
beispiel
läßt
drain
arbeitspunkt
ergibt
strom
ausgang
emitter
betrieb
eingangsspannung
komplexen
bipolartransistor
spannungsverstärkung
diode
komplexe
steilheit
ugs
frequenzen
grenzfrequenz
feldeffekttransistors
oszillator
kanal
beträgt
kleinsignal
verstärkung
dargestellt
frequenz
kollektor
genannt
übertragungskennlinie
leistung
leerlaufspannungsverstärkung
bereich
temperatur
Năm:
1983
Ngôn ngữ:
german
File:
PDF, 6.41 MB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
german, 1983
2
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes
VS Verlag für Sozialwissenschaften
Prof. Dr. -Ing. Horst Gad (auth.)
parameter
uds
bild
funktion
drainstromes
kennlinien
drain
modell
spannung
gds
modells
steilheit
messung
rechnung
pnfet
const
harmonischen
kanal
rna
kanalleitwert
mosfet
dso
feldeffekttransistors
gate
abschn
bfr
punkt
udso
ableitung
tabelle
dargestellt
id3
sourceschaltung
feldeffekttransistoren
bud
harmonische
berechnung
gemessenen
gleichspannung
temperatur
drainstrom
ableitungen
analogen
bestimmung
kanalleitwertes
parametersatz
ubereinstimmung
entsprechend
konstante
bzw
Năm:
1981
Ngôn ngữ:
german
File:
PDF, 1.78 MB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
german, 1981
3
Microsoft Word - UEBUNG8.DOC
wanner
berechnen
reflexionsfaktor
sourcekontakt
streumatrix
transistor
transistors
allgemein
anhand
beschalten
drain
gate
j1.2
massepotential
s22
s3tor
sourceschaltung
sowie
zweitores
γ1
γs
15ma
3nh
50ω
abgeschlossen
abhängig
arbeitspunkt
berechnete
betrachtet
bezugsimpedanz
bezugsknoten
bezüglich
biaszuführungen
daraus
dielektrizitätskonstanten
dimensionieren
dimensionierung
dreitor
eingangsimpedanz
eingesetzt
entworfen
entwurfsverfahrens
erfolgt
erfüllen
frequenz
gateanschluss
geeignete
gegeben
ghz
groß
hochfrequenzschaltungen
Ngôn ngữ:
german
File:
PDF, 98 KB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
german
1
Đi tới
đường link này
hoặc tìm bot "@BotFather" trên Telegram
2
Xin gửi lệnh /newbot
3
Xin nêu tên cho bot của bạn
4
Xin nêu tên người dùng cho bot
5
Xin copy tin nhắn gần đây từ BotFather và dán nó và đây
×
×